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IXFC 26N50
IXFC 24N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-220 Outline
g fs
V DS = 15 V; I D = I T
Note 1
11
21
S
C iss
4200
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
450
135
16
33
65
30
135
28
62
0.30
0.54
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
26
104
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I s , -di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 100 V
T J =
T J =
T J =
T J =
T J =
T J =
25 ° C
125 ° C
25 ° C
125 ° C
25 ° C
125 ° C
1
2
10
15
250
400
1
ns
ns
μ C
μ C
A
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T test current: IXFC26N50 I T = 13A
IXFC24N50 I T = 12A
3. See IXFH26N50 data sheet for characteristic curves.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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IXFC30N60P 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC40N30Q 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.088W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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